1月18日信息（余予）为推动武汉半导体产业改革创新，加速“光芯屏端网”产业群基本建设，提高全产业链现代水准，武汉市人民政府公布《关于促进半导体产业创新发展的意见》。
《意见》明确提出，其目标是到2025年，全省半导体产业电子能级显著提高，产业布局更为有效，机器设备、原材料、测封配套设施水准对重要行业产生强有力支撑点。关键反映在下列三层面：
1.产业链经营规模层面。到2025年，集成ic产业链产量超出1200亿人民币，半导体材料表明产业链产量超出1000亿人民币，第三代半导体产业日趋完善。
2.技术实力层面。到2025年，专利发明年均增速超出15%，建立3—5个国家级别自主创新服务平台，带头制订2—4项国家标准，提升一批重要关键技术，完成一批核心技术转换和运用。
3.企业登记层面。到2025年，培养产生5家销售额超出100亿人民币的集成ic公司、5家销售额超出100亿人民币的半导体材料表明公司、5家销售额高于10亿人民币的半导体行业与原材料公司，半导体企业数量超出500家，上市企业增加3—5家。
下列为原文：
人民政府政策研究室有关推动半导体产业改革创新的建议
各个区市人民政府，人民政府各单位：
为推动本市半导体产业改革创新，加速“光芯屏端网”产业群基本建设，提高全产业链现代水准，经人民政府允许，特明确提出如下所示建议：
一、整体规定
（一）指导方针。以主席新时代中国特点社会主义经济观念为具体指导，贯彻执行全省社会经济和社会经济发展“十四五”整体规划和2035年发展前景总体目标、武汉工业高质量发展“十四五”整体规划，加速补齐短板、锻长板、强绿色生态，打造出“引领、因素协作、传动链条详细、竞争能力强”的当代半导体产业管理体系。
（二）目标。到2025年，全省半导体产业电子能级显著提高，产业布局更为有效，机器设备、原材料、测封配套设施水准对重要行业产生强有力支撑点。
1.产业链经营规模。到2025年，集成ic产业链产量超出1200亿人民币，半导体材料表明产业链产量超出1000亿人民币，第三代半导体产业日趋完善。
2.技术实力。到2025年，专利发明年均增速超出15%，建立3—5个国家级别自主创新服务平台，带头制订2—4项国家标准，提升一批重要关键技术，完成一批核心技术转换和运用。
3.企业登记。到2025年，培养产生5家销售额超出100亿人民币的集成ic公司、5家销售额超出100亿人民币的半导体材料表明公司、5家销售额高于10亿人民币的半导体行业与原材料公司，半导体企业数量超出500家，上市企业增加3—5家。
二、重点项目
（一）看准薄弱点补链
1.提高电子器件机器设备、原材料和测封配套设施工作能力。在机器设备阶段，对焦三维集成化特点加工工艺，产品研发离子注入、堆积和封装形式机器设备，引进有机化学机械设备碾磨（CMP）机、离子注入机等国内机械设备生产新项目；在原材料阶段，紧紧围绕优秀储存器加工工艺，开发设计打磨抛光垫、光刻技术、电子化学品和键合原材料，合理布局化学气相沉积原材料、溅射靶材、掩膜版、大单晶硅片等原材料新项目；在测封阶段，引入和培养世界各国封装测试拔尖公司，提升优秀储存器封装形式加工工艺，推动多集成ic控制模块、芯片级封装形式、系统软件级封装形式等优秀封装形式技术性产业发展。
2.加速半导体材料显示设备和原材料国产化替代。在机器设备阶段，对焦有机化学发光二极管（OLED）中小型规格控制面板加工工艺，产品研发电子光学检验、摸组自动化机械，引进表明控制面板印刷、刻蚀机、塑料薄膜制取等国内机械设备生产新项目；在原材料阶段，适用液晶显示屏玻璃基板生产制造建设项目，加速OLED光学材料、软性基材原材料的研制及产业发展，引进滤色片、偏光膜、靶材等国内原材料生产制造新项目。
3.合理布局第三代半导体材料衬底及外延性制取。在机器设备阶段，适用物理学气相色谱传送法（PVT）机器设备、金属材料有机物气相色谱堆积（MOCVD）、分子结构束外延性（MBE）等工艺技术的研制及产业发展；在原材料阶段，引入碳碳复合材料（SiC）衬底、SiC外延性、氮化镓（GaN）衬底生产流水线，合理布局GaN外延性芯片生产线。
（二）立足于原有基本强链
1.打造出储存、光学集成ic产业链堡垒。在内存芯片行业，关键引进控制板集成ic和摸组开发设计等全产业链配套设施公司，产品研发高层住宅数三维闪存芯片、40纳米技术下列编码型闪存芯片、动态性随机存取储存器、三维改变储存器、存算一体集成ic等优秀内存芯片；在光学集成ic行业，适用25G以上光收取和发送集成ic、50G以上相干光通讯集成ic的研制及产业发展，合理布局硅基光纤通信集成ic、高档光传感器集成ic、大功率激光器芯片等高档光学芯片制造新项目。
2.基本建设中国关键半导体材料表明产业园区。在表明控制面板行业，引入大容量OLED、量子点技术表明、亚mm发光二极管（MiniLED）表明等控制面板生产制造新项目，合理布局μm级发光二极管（MicroLED）表明、激光器表明、8K超高清、3D显示等将来显示技术产品研发及产业发展；在表明摸组行业，适用全面屏手机、柔性屏摸组的研制及产业发展，加速开发设计高档控制面板全面屏手机传感器元器件及摸组，引进光学镜头、背光模组等制造新项目，逐渐提高对中高档控制面板的产业链配套设施工作能力。
（三）对焦网络热点行业延链
1.通讯射频芯片。适用5G绝缘层衬底上硅（SOI）构架射频芯片、微波射频电子产品设计自动化技术（EDA）软件研发；朝向5G通信基站、基站设备、传输网等基础设施建设销售市场，关键发展趋势基带芯片、通讯电集成ic、过滤器等重要集成ic。
2.通用性逻辑性集成ic。加速图像处理器（GPU）、显控集成ic的开发设计及运用，提高专利权（IP）核查cpu（CPU）、人工智能技术处理器等逻辑性集成ic的设计方案支撑点工作能力，合理布局信创行业CPU新项目。
3.北斗导航系统集成ic。适用产品研发北斗三号系统软件的新一代导航栏集成ic、28纳米技术高精密消费性北斗导航系统定位芯片、新一代多模光纤多频高精密基带芯片系统软件级集成ic；朝向交通出行、货运物流、农牧业、城管执法等行业开发设计通导一体化北斗芯片，扩展北斗定位系统运用。
4.车规集成ic。推动数据驾驶舱集成ic、安全驾驶輔助集成ic、电力电子器件、汽车传感器等车规级集成ic产品研发及产业发展新项目；朝向新能源车，合理布局动力装置、主处于被动安全管理系统、游戏娱乐信息管理系统、车里互联网、灯光控制系统车规集成ic产业发展新项目。
（四）紧紧围绕前端行业建链
1.第三代半导体元器件。紧紧围绕功率器件、射频器件、半导体材料等3个运用方位，引进碳碳复合材料（SiC）输出功率电子管、氮化镓（GaN）充电模块、GaN功率放大电路、高发光效率LED、MiniLED等元器件新项目；适用中髙压SiC功率模块、GaN 5G射频开关、紫外光LED的研制及产业发展，提升SiC绝缘层栅双极型电子管（IGBT）、毫米波通信射频器件、MicroLED核心技术。
2.量子芯片。适用单光子源、激光发生器、探测仪等量子集成ic的研制及产业发展；合理布局量子科技感应器、量子科技高精密精确测量元器件等制造新项目；进行量子通信、量子科技三维成像、量子科技导航栏、量子雷达、量子计算机集成ic关联性前沿科技科技攻关。
三、产业发展规划
（一）打造出比较详细的电子器件全产业链聚居区。关键发展趋势三维集成化加工工艺、优秀逻辑性加工工艺，积极推进优秀储存器等关键生产制造建设项目；关键发展壮大中高端芯片设计方案、IP核设计、EDA手机软件等产业链，积极推进精简指令集（RISC—V）产学研用产业基地基本建设；培养武器装备、原材料、零部件、测封等产业链，积极推进硅基SOI半导体器件、光刻技术原材料及电子器件有机溶剂、筑芯产业基地等配套设施建设项目。
（二）搭建多元化半导体材料表明产业链中心城市。关键发展趋势中小型规格表明控制面板、大容量表明控制面板等产业链，加速半导体材料表明全产业链向上中下游拓宽发展趋势，培养关键机器设备、重要原材料、摸组、电子器件、显示设备等产业链，推动华星t4、华星t5、宏昌G6二期、京东方10.5代线提产、康佳MiniLED表明产业基地等建设项目。
（三）建立半导体材料特色农业区。关键发展趋势光学集成ic、第三代化学物质半导体材料等产业链，推动红外线传感器芯片制造、微机电工程（MEMS）与传感器工业生产技术性研究所等建设项目；培养车规集成ic、工业自动化集成ic等产业链，推动我国新能源技术和智能网联汽车基地基本建设；培养显示芯片、网络信息安全集成ic等产业链，推动我国网络信息安全优秀人才与自主创新中心基本建设；培养人工智能技术集成ic、通用性逻辑性集成ic等产业链，推动我国新一代人工智能技术改革创新试点区基本建设。
四、保障机制
（一）加强政策落实。贯彻执行国家有关电子器件产业链、半导体材料表明产业链“窗口指导”系列产品指示精神，各有关部门和企业对比全省半导体产业改革创新2022年重点工作每日任务安排（附后）搞好工作落实。加强文化建设，科学研究半导体产业快速发展中的发展战略、整体规划执行、现行政策制订等问题。加强对领域机构、专业服务公司和网络平台的指导工作。市经信局立即制定本年度重点项目，按时整理全省半导体产业策划、新创建、已建新项目工作进展。市直单位各有关部门具体指导各个区机构专家评审，协助公司审批我国“窗口指导”，推动半导体产业重点项目建设。（义务企业：市发改委、市经信局、市招商合作办）
（二）构建自主创新综合服务平台。紧紧围绕1个基本逻辑性加工工艺、4个特点加工工艺，基本建设12英尺电子器件小试服务平台，对焦硅基功率半导体，基本建设8英尺半导体材料小试服务平台，为高等院校、科研单位、中小企业给予流片、封装测试、国内专用设备及原材料运用认证等服务项目，机构建立我国电子器件“芯火”创业创新产业基地（服务平台）。推动湖北省实验室规划，适用国家级别创新中心、省部级创新中心进行关键技术科技攻关。（义务企业：东湖高新区管委会，市发改委、市科技局、市经信局）
（三）提升产业链室内空间确保。进一步提升半导体产业空间规划，依照“自主创业苗木基地 创业孵化器 网络加速器”的产业链培养方式，在目前产业发展规划的根基上，打造出提高一批半导体产业产业基地和配套设施产业园区。加强电子器件新型材料产业园区基本建设，探寻创建涉及到化工工艺的电子器件新型材料新项目落户口体制，为电子器件新型材料产品研发试验、生产加工和物流仓储释放出来合理土地资源室内空间。（义务企业：市生态资源和城建局、市经信局、市生态环境局、市应急局，各个区市人民政府〈含高新区管委会，相同〉）
（四）执行全产业链精准招商。加强半导体材料全产业链精准招商的创新性发展战略策划，制定全省半导体产业分队招商合作计划，创建全产业链精准招商协作衔接体制。紧紧围绕“链主”公司及其重点项目，进行强链、补链、延链、建链重点招商合作行動，关键在内存芯片、光学集成ic、表明控制面板、第三代半导体材料行业，吸引住全产业链关键公司和上中下游配套设施公司落户口武汉市。（义务企业：市招商合作办，各个区市人民政府）
（五）健全投资融资自然环境。正确引导金融机构组织增加对半导体材料全产业链上中下游中小企业的银行信贷适用幅度，适用政府部门性融资担保公司组织为半导体材料中小企业给予担保，减轻借款难问题。充分运用武汉产业发展基金的指引功效，对发展前景好的半导体产业初创期项目实施精确适用和培养。激励“专精特新”公司挂牌上市北京市证交所，强烈推荐高品质公司进到湖北省“科创板上市种籽”企业名录，对于发售储备公司增加服务保障幅度。（义务企业：市地区金融局，市产业投资发展趋势集团公司）
（六）完善产业链优秀人才管理体系。加强湖北实验室与高等院校、公司的协作，朝向有机化学、物理学、原材料及其电子光学等基础科学，吸引住全世界顶级半导体材料优秀人才。推动执行我国、省、市、区的高端人才方案，探寻创建高端人才软性流动性与分享体制，从薪酬、买房、职业生涯发展、亲属按置、文化教育诊疗等各个领域提高人才引进的鼓励幅度和覆盖面积。适用在汉高等院校建立我国示范电子光学学校，推动电子器件一级学科基本建设。激励本市半导体企业协同高等院校、科研单位、高职院校打造出半导体产业优秀人才培训中心。（义务企业：市招才局，市科技局、市社保局，各个区市人民政府）
（七）加强知识产权。促进半导体产业行业高使用价值专利权培养，推动半导体产业专利权成效应用转换。借助我国（武汉市）知识产权核心等综合服务平台，健全半导体产业专利权迅速核查、迅速土地确权、迅速消费者维权等专利权协作保障体制。大力开展半导体产业专利分析和导航栏，健全专利权管理机制。适用机关事业单位进行半导体产业专利权合理布局，为半导体产业改革创新给予全传动链条知识产权服务。（义务企业：市市场监督管理）
武汉市人民政府政策研究室
